恒流驱动芯片是LED暴露屏里蹙迫的一部分，它的选型径直影响暴露成果。当前常用的驱动芯片按其架构不同可分为通用芯片、双缓存、PWM三大类。这三类IC的具体职责旨趣是什么 ？区别又是什么呢？这篇著作逐个聊聊。
先说几个倡导：
①刷新：指的是一秒钟图像出现的次数，具体到单灯便是一秒钟内亮灭了若干次。刷新高拍照成果好，但一次刷新亦然一次灯珠的开关，灯珠的开关次数是会影响其寿命的。是以刷新够用就好，并不是越高越好。
②帧频：指的是一秒钟内出现了若干副图像，由于东谈主眼的视觉暂留特质，惟有一秒钟内画面变化大于24HZ，就不会感到停顿，咱们当前使用的是60HZ帧频。
③灰阶：指的是屏体从黑到最亮随意分红的亮度品级。比如一个暴露屏的亮度是16384cd/㎡，灰阶是14Bit（214即16384级）。它是将16384的亮度分红16384级，每一级的亮度是1cd/㎡。灰阶越高，每一级对应的亮度越低，暴露成果邃密。
现诀别以MBI5024、ICND2038S、MBI5153为代表，先容一下通用、双缓存、PWM三大类驱动芯片的具体职责旨趣和区别。
一：通用芯片（MBI5024）图片
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如图所示，16位数据信号SDI在时钟的作用下从低到高，被逐个送到16位位移缓存器中（串入）；16位数据存满后会自动同期参加16位输出栓锁器中；通过锁存信号LE规章，同期输出到16位驱动器中；临了通过OE规章其输出（并出）。
惯例芯片的灰度是通过把一帧的暴露脉冲信号平分，从而规章灯珠点亮技艺取得。如下图是一个平分红16Bit的暴露信号脉冲波形图，灰度品级越高脉冲越宽，对应灯珠点亮的技艺越久。
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衔尾旨趣框图，咱们不错树立一个刷新和时钟的关系式。CLK=芯片通谈数*扫描数*刷新频率*一组数据芯片个数*换帧频率（芯片通谈数*扫描数*一组数据芯片个数，便是一组数据带点数）。
二：双缓存（ICND2038S）图片
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二：PWM（MBI5153）图片
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如上图不错看出，其职责方式和通用IC及双缓存IC有很大不雷同了。数据通过数据时钟DCLK的作用传入到16位寄存器，存满后自动参加SRAM，SRAM会将一帧技艺内的所零星据先存储起来。然后通过灰度时钟GCLK相助comparators(算法电路)规章其输出脉宽得到具体的灰度值，径直将灰度值以16位的数据格式给到Output Buffers（输出缓冲器）输出。（通用IC的灰度不错统一为灯珠N次亮灭得到的，这里是径直输出灰度值）。
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知谈了PWM芯片的职责旨趣后，咱们不错树立以下关系式：
①：DCLK=灰阶数据数*通谈数*扫描数*帧频*一组数据芯片个数；跟通用IC不雷同的是这里多了一个灰阶数据数，从框图中不错看出输出灰阶为16的数据，是以式中灰阶数据数为16。
②：GCLK=灰阶*扫描数*帧频；一个GCLK脉宽便是一级灰阶，N个GCLK脉宽类似便是N级灰阶。
PWM芯片不成径直将DCLK或GCLK视为通用芯片的CLK来树立与刷新关系式。PWM芯片的刷新是由灰阶决定的，它是先有灰阶再有刷新。
③：刷新=（灰阶÷打散方式）*帧频；这里的打散方式是蚁合PWM芯片一种升迁刷新的妙技，不同PWM芯片有不同的打散方式，统一种PWM芯片在不同倍率下也有不同的打散方式。下图是MBI5153的打散方式：
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以一个灰度14Bit,32扫的暴露屏不开倍频为例：带入以上关系式可得需要的GCLK约为31MHZ,随意得到的刷新为1920HZ（本文以上所相相关式均未有筹商消影所需的时钟）。
LED芯片是LED居品的腹黑，主邀功能便是把电能荡漾成光能，在使用进程中，led暴露屏芯片也会出现各式各类的问题，当前就让咱们一谈望望LED芯片惯例会出现那六大问题吧！
01正向电压裁减、暗光（1）一种是电极与发光材料为欧姆讲和，但讲和电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
（2）一种是电极与材料为非欧姆讲和，主要发生在芯片电极制备进程中挥发第一层电极时的挤压印或夹印，分散位置。
另外封装进程中也可能变成正向压裁减，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极浑浊等变成讲和电阻大或讲和电阻不踏实。
正向压裁减的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而发扬暗点，还有一种暗光格式是芯片自己发光遵守低，正向压降平常。
02难压焊（1）打不粘：主要因为电极名义氧化或有胶
（2）有与发光材料讲和不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层零散为主。
（3）打穿电极：连接与芯片材料相关，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料（如高红，红外芯片）较GAP材料易打穿电极。
（4）压焊调试应从焊合温度，超声波功率，超声技艺，压力，金球大小，支架定位等进行调理。
03发光情怀互异（1）统一张芯片发光情怀有彰着互异主若是因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料罗致量子结构很薄，孕育是很难保证各区域组分一致。（组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长）。
（2）GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，然而由于东谈主眼对这个波段情怀明锐，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现情怀偏差倡导越小，故在M／T功课中有附进登第法。
（3）GAP红色芯片有的发光情怀是偏橙黄色，这是由于其发光机理为转折跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光阔气，发光是开动变为橙黄色。
04闸流体效应（1）是发光二极管在平常电压下无法导通，当电压加高到一定进度，电流产生突变。
（2）产生闸流体格式原因是发光材料外延片生永劫出现了反向夹层，有此格式的LED在IF＝20MA时测试的正向压降有荫藏性，在使用进程是出于南北极电压不够大，发扬为不亮，可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试弧线，也不错通过小电流IF＝10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降彰着偏大，则可能是该问题所致。
05反向走电流IR在死心条目下反向走电流为二极管的基本特质，按LED昔日的惯例轨则，指反向电压在5V时的反向走电流。跟着发光二极管性能的升迁，反向走电流会越来越小。IR越小越好，产生原因为电子的不功令迁移。
（1）芯片自己品责备题原因，可能晶片自己切割相称所导致。
（2）银胶点的太多，严重时会导致短路。外延变成的反向走电主要由PN结里面结构短场所致，芯片制作进程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液调配银胶。以防患银胶通过毛细格式爬到结区。
（3）静电击伤。外延材料，芯片制作，器件封装，测试一般5V下反向走电流为10UA，也不错固定反向电流下测试反向电压。不同类型的LED反向特质收支大：普绿，普黄芯片反向击穿可达到一百多伏，而普红芯片则在十几二十伏之间。
（4）焊线压力规章不当，变成晶片内崩导致IR升高。
惩处决策
（1）银胶胶量需规章在晶片高度的1／3～1／2；
（2）东谈主体及机台静电量需规章在50V以下；
（3）焊线第少许的压力应规章在30～45g之间为佳。
06死灯格式（1）LED的走电流过大变成PN结失效，使LED灯点不亮，这种情况一般不会影响其他的LED灯的职责。
（2）LED灯的里面连结引线断开，变成LED无电运动过而产死活灯，这种情况会影响其他的LED灯的平常职责，原因是由于LED灯职责电压低（红黄橙LED职责电压1．8v－2．2v，蓝绿白LED职责电压2．8－3．2v），一般齐要用串、并联来蚁合，来合乎不同的职责电压，串联的LED灯越多影响越大，惟有其中有一个LED灯里面连线开路，将变成该串联电路的整串LED灯不亮，可见这种情况比第一种情况要严重的多。
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